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Toshiba TKx硅N沟道MOSFET

Toshiba TKx硅N沟道MOSFET有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。这些MOSFET的设计具有快速反向恢复时间，通过减少关断和导通状态之间的延迟，从而可提高高速开关应用的效率。低漏极-源极导通电阻[RDS(on)]有助于将功率损耗降至最低，并可改善热管理，使其成为处理大电流并具有低能量耗散应用的理想选择。

特性

  • U-MOSX-H和DTMOSVI类型
  • 快速反向恢复时间
    • U-MOSX-H典型范围：40ns至52ns
    • DTMOSVI：135ns（典型值）
  • 低漏极-源极导通电阻
    • U-MOSX-H典型范围：4.1mΩ至8mΩ
    • DTMOSVI：0.052Ω（典型值）
  • 增强模式范围
    • U-MOSX-H：3.1V至4.5V（当VDS = 10V，ID = 1.1mA至2.2mA时）
    • DTMOSVI：3.5V至4.5V（当VDS =10V，ID = 1.69mA时）
  • 带较低电容的高速开关特性（DTMOSVI）
  • 反向恢复电荷范围(U-MOSX-H)：32nC至55nC（典型值）
  • 栅极电荷范围 (U-MOSX-H)：17nC至26nC（典型值）
  • 最大漏电流 (U-MOSX-H)：10µA

应用

  • 开关稳压器
  • 高效DC-DC转换器 (U-MOSX-H)
  • 电机驱动器（U-MOSX-H）
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物料编号 数据表 封装 / 箱体 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散 上升时间 下降时间
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ 数据表 TOLL-9 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 50 nC 230 W 17 ns 4 ns
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ 数据表 TOLL-9 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 42 nC 190 W 14 ns 3.7 ns
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ 数据表 TOLL-9 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 24 nC 130 W 15 ns 5 ns
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1,RQ 数据表 TOLL-9 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 43 nC 211 W 20 ns 4 ns
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ 数据表 TOLL-9 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC 176 W 18 ns 4.6 ns
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ 数据表 TOLL-9 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 28 nC 150 W 16 ns 5 ns
TK063N60Z1,S1F TK063N60Z1,S1F 数据表 TO-247-3 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 56 nC 242 W 50 ns 5 ns
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F 数据表 TO-247-3 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 68 nC 270 W 51 ns 3.5 ns
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X 数据表 TO-220-3 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 300 W 87 ns 77 ns
TK5R0A15Q5,S4X TK5R0A15Q5,S4X 数据表 TO-220SIS-3 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 53 W 62 ns 57 ns
发布日期: 2024-09-10 | 更新日期: 2025-08-02