Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET是一款8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。这些MOSFET具有改进的反向恢复特性，包括36ns快速反向恢复时间和27nC典型反向恢复电荷。TPH1100CQ5系列可降低开关电源中的功率损耗，从而提高同步整流应用的效率。Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和低漏电流额定值，因此非常适合用于各种电源和工业应用。典型应用包括高效直流/直流转换器、开关稳压器、电机驱动器、数据中心和通信基系统。
特性
- 硅N沟道极性
- U-MOSX-H代
- 单一内部连接
- 8引脚SMT封装
- 快速反向恢复时间
- 较小的反向恢复电荷
- 栅极电荷小
- 低漏极-源极导通电阻
- 漏电流低
- 可提供RoHS型号
应用
- 高效直流/直流转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
规范
- 漏极-源极额定电压：150V
- 栅极-源极额定电压：±20V
- 漏极额定电流：49A
- 额定功率耗散：180W
- 最大栅极阈值电压：4.5V
- 漏极-源极导通电阻范围：11.1mΩ至13.6mΩ
- 典型输入电容：2830pF
- 栅极电荷: 38nC (典型值）
内部电路图
尺寸（mm）
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8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
发布日期: 2024-07-19
| 更新日期: 2024-09-02