Vishay 带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

特性

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物料编号	Rds On-漏源导通电阻	Pd-功率耗散	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流
SISF00DN-T1-GE3	4.2 mOhms	69.4 W	30 V	60 A
SISF20DN-T1-GE3	13 mOhms	69.4 W	60 V	20 A
SISF04DN-T1-GE3	4 mOhms	69.4 W	30 V	108 A
SISF02DN-T1-GE3	2.15 mOhms	52 W	30 V	40 A
SI8902AEDB-T2-E1	28 mOhms	5.7 W	24 V	11 A
SQUN702E-T1_GE3	9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms	48 W, 60 W	40 V, 200 V	20 A, 30 A

发布日期: 2019-05-14 | 更新日期: 2024-10-24