Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET
Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET，具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐，可实现最低RDS-Qoss FOM，具有顶部冷却功能，另外 还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。
特性
- TrenchFET®第四代功率MOSFET
- 超低RDS - Qg品质因数 (FOM)
- 经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM
- 可进行顶部冷却，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递
- 100%通过Rg和UIS测试
应用
- 同步整流
- OR-ing
- 高功率密度直流/直流器件
- 电机驱动控制
- 电池管理
- 负载开关
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| SIR4606DP-T1-GE3 |  |
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
| SIDR402EP-T1-RE3 | |
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
| SIDR608EP-T1-RE3 | |
MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET |
发布日期: 2021-12-02
| 更新日期: 2022-03-11