Vishay / Siliconix Si4056ADY N沟道MOSFET
Vishay/Siliconix Si4056ADY N沟道MOSFET采用SO-8封装,具有100V漏极-源极额定电压以及40A脉冲漏极电流。该MOSFET具有低R
DS x Qg品质因数 (FOM),经过调谐,可实现最低R
DS x Q
oss FOM。Vishay Si4056ADY N沟道MOSFET非常适合用于一次侧开关、LED驱动器、负载开关和同步整流。
特性
- TrenchFET®第四代功率MOSFET
- 低RDS x Qg品质因数 (FOM)
- 经过调谐,可实现最低RDS x Qoss FOM
相关MOSFET
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
发布日期: 2020-11-19
| 更新日期: 2024-12-16