Vishay Si8410DB N 沟道 20V (D-S) MOSFET
威世 Si8410DB 是 N 沟道 20V (D-S) 超小、超薄型 MOSFET,采用 Micro Foot 封装,占位面积为 1mm x 1mm。它具有 20V 的漏源电压,符合 RoHS 指令,无卤素。Si8410DB 通常用于负载开关、电源管理和高速开关应用。
特性
- TrenchFET® power MOSFET
- Ultra-small 1x1mm maximum outline
- Ultra-thin 0.54mm maximum height
应用
- Load switch
- Power management
- High-speed switching
Associated Products
Offers low on-resistance (RDS(on)) in an ultra-small and ultra-thin package.
发布日期: 2015-03-31
| 更新日期: 2022-03-11