Vishay / Siliconix SiA466EDJ N 沟道 20V (D-S) MOSFET

威世 SiA466EDJ 是 N 沟道 20V (D-S) MOSFET,采用 SC-70 封装,占位面积为 2.05mm x 2.05mm。它具有典型值为 2500V 的 ESD 保护能力,并经 Rg 测试。SiA466EDJ 通常用于智能手机、移动计算、直流/直流转换器、电源管理、负载开关等。

特性

  • TrenchFET® power MOSFET
  • Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
    • Small footprint area
    • Low on-resistance
  • 2500V (HBM) typical ESD protection 
  • 100% Rg tested

应用

  • Smartphones and mobile computing
  • DC/DC converters
  • Power management
  • Load switches
发布日期: 2015-03-02 | 更新日期: 2022-03-11