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Vishay / Siliconix Vishay Siliconix SiA936EDJ 双组件 N 沟道 MOSFET

Vishay Siliconix SiA936EDJ 双 N 沟道 MOSFET 被设计用于在便携式电子设备中节约空间、提高功率效率，在 4.5V 和 2.5V 栅极驱动下具有 20V(12V VGS 和 8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为 2mm x 2mm。SiA936EDJ 适用于负载和充电器开关，直流-直流转换器、H 桥和电池保护，实现智能手机、平板电脑、移动计算设备、非植入式便携医疗产品、及带有小型无刷直流电机的手持式消费电子设备中的功率管理。对于这些应用，SiA936EDJ 提供了 34mO (4.5V)、37mO (3.7V)和 45mO (2.5V)的极低导通电阻、及 2000V 的内置 ESD 保护。在 2.5V 下其导通电阻比最接近的 8V VGS 竞争器件低 11.7%——同时仍有较高（G-S）防护频带——比 12V VGS 器件低 15.1%。该器件的低工业导通电阻使设计人员能在其电路中达到较低电压降，并促进功率的更有效使用，实现更长的电池运行时间。双组件的 SiA936EDJ 在一个紧凑封装内集成两个 MOSFET，减少了总元件数量，节约了宝贵的 PCB 空间。Vishay Siliconix SiA936EDJ 双组件 N 沟道 MOSFET 按照 JEDEC JS709A 规定 100% 通过 Rg 测试并且不含卤素，还符合 RoHS 2011/65/EU 指令。 

The SiA906EDJ is optimized for load switches for portable applications and high-frequency DC/DC converters. For these applications, the SiA906EDJ offers extremely low on-resistance of 34mΩ (4.5V), 37mΩ (3.7V), and 45mΩ (2.5V), and built-in ESD protection of 2000V.

Its on-resistance at 2.5V is 11.7% lower than the closest competing 8V VGS device — while providing a higher (G-S) guard band — and 15.1% lower than the closest competing device with a 12V VGS.

The device's industry-low on-resistance allows designers to achieve lower voltage drops in their circuits and promote more efficient use of power and longer battery run times. By integrating two MOSFETs into one compact package, the dual Vishay Siliconix SiA906EDJ simplifies designs, lowers the overall component count, and saves critical PCB space.

特性

  • TrenchFET power MOSFET
  • Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package
    • Small footprint area
    • Low on-resistance
  • 560V typical ESD protection
  • 100% Rg tested

应用

  • Load switch for portable applications
  • High-frequency DC/DC converter
发布日期: 2014-04-29 | 更新日期: 2022-03-11