Vishay / Siliconix SiHR080N60E N沟道功率MOSFET
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为电信、工业和计算应用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型导通电阻（10V时）和低至42nC的超低栅极电荷，从而降低了导通和开关损耗，因此可在电源系统 >2kW中节约能源并提高效率。该封装还提供开尔文连接，以提高开关效率。Vishay/Siliconix SiHR080N60E 设计用于承受雪崩模式下的过压瞬变，保证限值通过100% UIS测试。
特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数（FOM）Ron x Qg
- 低有效电容（Co(er)）
- 减少开关和导通损耗
- 顶部冷却
- 雪崩能量等级 (UIS)
- 翼形引线具有出色的温度循环能力
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正(PFC)电源
- 照明
- 高强度放电 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 太阳能（光伏逆变器）
规范
- 漏极-源极电压：600V（最大值）
- 最大栅极-源极电压：±30V
- 最大连续漏极电流（VGS = 10V时）
- 51 A 下 +25 °C
- 32 A 下 +100 °C
- 脉冲漏极电流：96A（最大值）
- 最大线性降额系数：4.0W/°C
- 单脉冲雪崩能量：173mJ（最大值）
- 最大功耗：500W
- 最大漏极-源极电压斜率：100V/ns（+125°C时）
- 10V/ns最大反向二极管dv/dt
- 最大热阻
- 结温至环境：42°C/W
- 结-外壳（漏极）：0.25°C/W
- 工作结温范围：-55 °C至+150 °C
- PowerPAK 8 x 8LR封装
尺寸
发布日期: 2024-07-09
| 更新日期: 2024-07-12