Vishay / Siliconix SiJA22DP N沟道25V MOSFET
Vishay/Siliconix SiJA22DP N沟道25V MOSFET采用PowerPAK SO-8L封装，具有单一配置设计和25VDS漏极-源极电压。该模块具有TrenchFET® Gen IV功率，经过调谐可实现最低RDS至Qoss FOM，100%通过Rg和UIS测试。Vishay SiJA22DP N沟道25V MOSFET的影院包括同步整流、高功率密度直流/直流、电池和负载开关以及热插拔开关。
特性
- TrenchFET Gen IV功率
- Qgd/Qgs 比<1优化开关特性
- 经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM
- 经100% Rg和UIS测试
应用
- 同步整流
- 高功率密度直流/直流器件
- 热插拔开关和OR-ing FET
- 电池和负载开关
规范
- 漏极-源极电压：25VDS
- 脉冲漏极电流：160A
- 单脉冲雪崩能量：125mJ
- 输入电容：6500pF
- 输出电容：2250pF
- 栅极电阻：2Ω
- PowerPAK SO-8L封装
- 单配置
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
- 功耗：48W
尺寸
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Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
发布日期: 2020-11-19
| 更新日期: 2024-12-16