Vishay / Siliconix SiHP080N60E E系列功率MOSFET
Vishay/Siliconix SiHP080N60E E系列功率MOSFET采用第四代E系列技术和TO-220AB封装。SiHP080N60E具有低品质因数 (FOM) Ron x Qg和低有效电容 (CO(er))。Vishay/Siliconix SiHP080N60E E系列功率MOSFET设计用于服务器和电信、SMPS和PFC电源应用。
特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数 (FOM) Ron x Qg
- 低有效电容 (CO(er))
- 减少了开关和导通损耗
- 雪崩能量等级 (UIS)
应用
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度放电 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 太阳能（光伏逆变器）
相关产品
Vishay Semiconductors 第四代E系列MOSFET
具有低FOM、低有效电容，能够降低开关和导通损耗。
Vishay / Siliconix E Series High Voltage MOSFETs
Offers a 30% reduction in specific On-resistance versus the Vishay S Series Power MOSFETs.
电路图
发布日期: 2021-03-11
| 更新日期: 2022-03-11