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Vishay / Siliconix SiJK5100E N 通道 MOSFET

Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET是一款TrenchFET® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压。该MOSFET具有536W最大功耗（+25°C时）、487A连续源极-漏极二极管电流（+25°C时）以及单一配置。SiJK5100E通过UIS测试，无铅和无卤。Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括同步整流、自动化、电源、电机驱动控制和电池管理。

特性

  • TrenchFET第五代功率MOSFET
  • 领先的RDS(on) 可最大限度地降低导通时的功耗
  • 增强功率耗散和更低RthJC
  • 100%通过Rg和UIS测试
  • 标准级FET
  • 单配置
  • 采用PowerPAK® 10x12封装
  • 无铅、无卤

规范

  • 100 V漏源电压
  • 最大功耗：536W（+25°C时）
  • 连续487A源极-漏极二极管电流：（+25°C时）
  • ±20 V栅极-源极电压
  • 脉冲漏极电流：700A（T = 100μs）
  • 工作温度范围：-55 °C至+175 °C

应用

  • 同步整流
  • 自动化
  • 电源
  • 电机驱动控制
  • 电池管理

信息图

信息图 - Vishay / Siliconix SiJK5100E N 通道 MOSFET

输出特性

性能图表 - Vishay / Siliconix SiJK5100E N 通道 MOSFET

其他资源

发布日期: 2024-10-29 | 更新日期: 2025-02-07