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Vishay / Siliconix SISH892BDN N沟道100V MOSFET

Vishay/Siliconix SISH892BDN N沟道100V MOSFET是一款TrenchFET® Gen IV功率MOSFET，100%通过Rg和UIS测试。SISH892BDN MOSFET具有100V VDS、20A ID和8nC Qg。Vishay/Siliconix SISH892BDN MOSFET采用PowerPAK® 1212-8SH封装，工作结温和储存温度范围为-55°C至+150°C。

SISH892BDN N沟道100V MOSFET非常适合用于高功率密度直流/直流、同步整流和LED照明应用。

特性

  • TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
  • 经100% Rg和UIS测试

应用

  • 高功率密度直流/直流器件
  • 同步整流
  • LED照明元件

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包装类型

Vishay / Siliconix SISH892BDN N沟道100V MOSFET
发布日期: 2021-04-12 | 更新日期: 2022-03-11