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Vishay / Siliconix SiZF906BDT双N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiZF906BDT双N沟道 (D-S) MOSFET是一款SkyFET®低侧MOSFET，集成有肖特基。TrenchFET® Gen IV功率MOSFET采用PowerPAIR 6x5F封装，100%经过Rg和UIS测试。Vishay/Siliconix SiZF906BDT双MOSFET非常适合用于CPU内核电源、计算机/服务器外设、POL、同步降压转换器和电信直流/直流应用。

特性

  • TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
  • SkyFET®低侧MOSFET，集成肖特基
  • 经100% Rg和UIS测试

应用

  • CPU内核功率
  • 计算机/服务器外设
  • POL
  • 同步降压转换器
  • 电信直流/直流

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包装类型

Vishay / Siliconix SiZF906BDT双N沟道 (D-S) MOSFET
发布日期: 2021-02-05 | 更新日期: 2022-03-11