Vishay SiRA20DP N 沟道 25V MOSFET
Vishay SiRA20DP N 沟道 25V MOSFET 具有降低开关相关功率损耗的优化后总栅极电荷 (Qg)、栅极-漏极电荷 (Qgd) 和 Qgd/栅极-源极电荷 (Qgs) 比。 SiRA20DP 是一款 TrenchFET® 第 4 代 器件，经 100% Rg 和 UIS 测试。 典型应用包括同步整流、高功率密度直流/直流、同步降压转换器、ORing、负载开关和电池管理。
特性
- TrenchFET Gen IV power MOSFET
- Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching-related power loss
- 100% Rg and UIS tested
应用
- Synchronous rectification
- High power density DC/DC
- Synchronous buck converter
- OR-ing
- Load switching
- Battery management
Related Products
Vishay / Siliconix TrenchFET第四代MOSFET
新一代TrenchFET®系列功率MOSFET。
发布日期: 2017-01-16
| 更新日期: 2022-06-22