Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P沟道MOSFET
Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P沟道MOSFET 是一款TrenchFET® Gen IV功率MOSFET。SiRA99DP MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低压降以及降低导通损耗。 该SiRA99DP MOSFET的工作温度范围为-55ºC至150ºC。该款功率MOSFET可采用单配置PowerPAK® SO-8封装。典型应用包括负载开关、适配器和充电器开关、电池保护和电机驱动控制。
特性
- TrenchFET® Gen IV p沟道功率MOSFET
- 超低RDS(ON)可最大限度地降低压降以及导通损耗
- 无需电荷泵
- 100%通过了Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试
- PowerPAK® SO-8封装
- 符合RoHS指令，不含卤素
规范
- 漏极-源极电压 (VDS)：-30V
- 连续漏极电流 (ID)：-195A
- 功率耗散：104W
- 工作温度范围：-55°C至150°C
应用
- 适配器和充电器开关
- 电池和电路保护
- OR-ing
- 负载开关
- 电机驱动控制
信息图
典型输出特征
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Industry-best on-resistance in a variety of package configurations.
发布日期: 2020-06-11
| 更新日期: 2025-01-09