Vishay SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N沟道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET,具有非常低的RDS x Qg 品质因数(FOM)。Vishay SiRS5700DP优化了功率效率,器件的RDS(on) 可最大限度地降低导通期间的功率损耗,确保高效运行。该MOSFET经过100% Rg 和UIS测试,确保可靠性。该器件还可增强功率耗散并降低热阻(RthJC),因此非常适用于高性能应用。

特性

  • TrenchFET®第五代功率MOSFET
  • 超低RDS x Qg 品质因数(FOM)。
  • 领先的RDS(on) 可最大限度地降低导通时的功耗
  • 100%通过Rg 和UIS测试
  • 增强功率耗散和更低RthJC

应用

  • 同步整流
  • 直流/直流转换器
  • O型圈和热插拔开关
  • 电源
  • 电机驱动控制
  • 电池管理

应用电路

应用电路图 - Vishay SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET
Vishay SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET
发布日期: 2024-01-19 | 更新日期: 2024-11-26