Vishay SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET
Vishay SiRS5700DP N沟道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET,具有非常低的R
DS x Q
g 品质因数(FOM)。Vishay SiRS5700DP优化了功率效率,器件的R
DS(on) 可最大限度地降低导通期间的功率损耗,确保高效运行。该MOSFET经过100% R
g 和UIS测试,确保可靠性。该器件还可增强功率耗散并降低热阻(R
thJC),因此非常适用于高性能应用。
特性
- TrenchFET®第五代功率MOSFET
- 超低RDS x Qg 品质因数(FOM)。
- 领先的RDS(on) 可最大限度地降低导通时的功耗
- 100%通过Rg 和UIS测试
- 增强功率耗散和更低RthJC
发布日期: 2024-01-19
| 更新日期: 2024-11-26