Vishay / Siliconix SiS890ADN N沟道100V MOSFET
Vishay/Siliconix SiS890ADN N沟道100V MOSFET具有100VDC漏极-源极电压、40A脉冲漏极电流以及单配置。SiS890ADN MOSFET具有低RDS x Qg品质因数 (FOM) 以及TrenchFET® GEn IV功率。该MOSFET100%通过Rg和UIS测试。Vishay SiS890ADN N沟道100V MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电路保护。
特性
- TrenchFET Gen IV功率MOSFET
- 低RDS x Qg品质因数 (FOM)
- 经过调谐，可实现最低RDS x Qoss FOM
- 100%通过Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令
- 无卤
应用
- 同步整流
- 一次侧开关
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 电路保护
- 负载开关
尺寸
相关MOSFET
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
发布日期: 2020-11-19
| 更新日期: 2024-12-16