Vishay / Siliconix SQ4946CEY汽车用双N沟道MOSFET
Vishay/Siliconix SQ4946CEY汽车用双N沟道MOSFET具有60VDS漏源电压、±100nA栅极-源极漏额定电流以及865pF最大输入电容。该MOSFET具有TrenchFET®功率，非常适合用于汽车应用。Vishay/Siliconix SQ4946CEY汽车用双N沟道MOSFET符合AEC-Q101标准，100%通过Rg和UIS测试，符合RoHS指令，不含卤素。
特性
- TrenchFET功率
- 经100% Rg和UIS测试
- 符合AEC-Q101标准
- 符合RoHS指令
- 无卤
- 双配置
规范
- 漏极-源极电压：60VDS
- 单脉冲雪崩能量：16.2mA
- 最大功耗：4W
- 连续拉电流：3.6A
- 栅极-源极电压：±100nA
- 现场漏极电流：20A
- 最大输入电容：865pF
- 工作温度范围：-55°C至+175°C
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发布日期: 2020-11-19
| 更新日期: 2024-12-17