Vishay / Siliconix 采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET
Vishay/Siliconix超结MOSFET采用PowerPAK® 10x12封装，具备先进功率技术。这些功率MOSFET可优化功率效率，RDS(on) 尽可能降低导通期间的功率损耗，确保高效运行。这些元器件100%经过Rg和UIS测试。Vishay/Siliconix超结MOSFET具有更好的功率耗散和较低的热阻(RthJC)。典型应用包括同步整流、自动化和电源。
特性
- 出色的散热能力
- 新一代E系列技术
- 低品质因数 (FOM) Ron x Qg
- 低有效电容 (Co(er))
- 提高系统效率
应用
- 电源
- 数据中心
- 电信
- 游戏PC
- 太阳能/光伏逆变器
- 自动化
规范
- 薄型设计：9.9mm x 11.7mm x 2.3mm
- TO无引线封装
- 集成Kelvin源连接
信息图
精选MOSFET
Vishay / Siliconix TrenchFET第四代MOSFET
新一代TrenchFET®系列功率MOSFET。
Vishay / Siliconix TrenchFET®第五代功率MOSFET，带VDS
具有非常低的RDS x Qg 品质因数（FOM），可提高功率转换效率。
Vishay / Siliconix SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET
采用TrenchFET® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。
发布日期: 2025-05-09
| 更新日期: 2025-05-22