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Winbond 低功耗HyperRAM®

Winbond低功耗HyperRAM®是具有高速SDRAM器件的移动DRAM，内部配置为8组内存，并在命令/地址 (CA) 总线上使用双倍数据速率 (DDR) 架构。此HyperRAM具有引脚数少、功耗低、易于控制的特性，可提高终端设备的性能。新的物联网边缘设备和人机接口设备要求在尺寸、功耗和性能方面有新的功能。这些HyperRAM内存器件提供新的技术解决方案，可应对新的物联网边缘设备和人机接口设备的快速发展。这些HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下提供45mW功率，与SDRAM的待机模式有明显区别。HyperRAM支持HyperBus接口，是应对汽车电子、工业4.0及智能家居应用快速发展的解决方案。

For IoT applications, various design considerations such as low cost, low power consumption, and computing efficiency must be met to gain widespread adoption in the market. From the overall system design and product life perspective, HYPERRAM™ has become an ideal choice for emerging IoT devices.

特性

  • HyperBus接口
  • 电源：
    • 1.7V~1.95V
    • 2.7V~3.6V
  • 最大时钟频率：
    • 166MHz
    • 200MHz
  • 双倍数据速率 (DDR) 可达333MT/s或400MT/s
  • 时钟：
    • 差分时钟 (CK/CK#)
  • 芯片选择 (CS#)
  • 8位数据总线 (DQ[7:0])
  • 读写数据选通 (RWDS):
    • 双向数据选通/脱敏
    • 在所有事务开始时输出，以指示刷新延迟
    • 在读取事务中作为读取数据选通输出
    • 在写入事务中作为写入数据脱敏输入
  • 工作温度范围：-40°C至85°C
  • 可配置的输出驱动强度
  • 可配置的突发特性
  • 环回突发长度：
    • 16字节（8时钟）
    • 32字节（16时钟）
    • 64字节（32时钟）
    • 128字节（64时钟）
  • 省电模式：
    • 混合睡眠模式
    • 深度低功耗

应用

  • 车载电子设备
  • 工业4.0
  • 智能家居应用
  • 物联网设备
  • 人机接口设备

框图

框图 - Winbond 低功耗HyperRAM®
发布日期: 2020-03-11 | 更新日期: 2025-01-06