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Wolfspeed TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1200V碳化硅(SiC)功率MOSFET具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻。这些功率MOSFET可降低开关损耗和冷却要求，并最大限度地减少栅极振铃。1200V SiC功率MOSFET集成了一个具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。这些功率MOSFET提高了功率密度和系统开关频率。1200V碳化硅功率MOSFET采用经过优化的封装，具有独立的驱动源引脚，采用薄型TO-247-4封装主体。这些功率MOSFET不含卤素，符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器、太阳能/ESS、UPS和企业级PSU。

特性

  • 高阻断电压，低导通电阻
  • 高速开关，低电容
  • 快速本征二极管，具有低反向恢复特性(Qrr)
  • 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
  • 提高系统效率
  • 降低冷却要求
  • 降低对散热器的需求
  • 提高功率密度
  • 提高系统开关频率
  • 经过优化的封装，带单独的驱动器源引脚
  • 更薄的TO-247-4封装主体
  • 不含卤素
  • 符合RoHS标准

应用

  • 电机控制
  • EV 电池充电器
  • 高压直流/直流转换器
  • 太阳能/ESS
  • UPS
  • 企业级PSU

原理图

原理图 - Wolfspeed TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET

数据手册

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物料编号 数据表 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散 下降时间 上升时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间 安装风格
C3M0021120K1 C3M0021120K1 数据表 100 A 35 mOhms 177 nC 405 W 13 ns 39 ns 54 ns 17 ns Through Hole
C3M0032120K1 C3M0032120K1 数据表 69 A 55 mOhms 118 nC 278 W 8 ns 19 ns 24 ns 16 ns Through Hole
C3M0040120K1 C3M0040120K1 数据表 66 A 70 mOhms 94 nC 242 W 8 ns 16 ns 23 ns 13 ns Through Hole
C3M0075120K1 C3M0075120K1 数据表 32 A 135 mOhms 53 nC 145 W 11 ns 22 ns 29 ns 8 ns Through Hole
C3M0160120K1 C3M0160120K1 数据表 17.9 A 280 mOhms 32 nC 103 W 12 ns 9 ns 13 ns 8 ns Through Hole
C3M0016120K1 C3M0016120K1 数据表 115 A 29 mOhms 223 nC 556 W 13 ns 40 ns 62 ns 19 ns Through Hole
发布日期: 2024-06-20 | 更新日期: 2024-10-04