Wolfspeed 1200V C4MS分立式SiC MOSFET

Wolfspeed 1200V C4MS分立式碳化矽(SiC)MOSFET可在硬开关应用中提供无与伦比的性能。C4MS系列采用快速软体二极管,可实现快速切换,同时将过冲和振铃降至最低,从而为工程师扩展可用的设计空间,以便调整和优化应用中的性能。与C3M系列器件相比,C4MS系列器件在保持较低的RDS(on)温度系数的同时,可提供更低的Eon、ERR和Eoff损耗。这种平衡方法可在广泛的硬开关和软开关拓扑结构中提供最大的性能和效率。

除了开关性能得到改善,Wolfspeed 1200V C4MS系列还具有过电压瞬态能力、在总线电压升高的条件下使用寿命更长,以及广泛的栅极电压兼容性,从而提供简化型的直接替换能力。

特性

  • 低Eon和ERR
  • 软体二极管,具有低超调和振铃特性
  • 低RDS(on)温度系数
  • 高Ciss/Crss比率
  • 宽栅极电压兼容性[-4V至0V/15V至18V]
  • 高瞬态电压兼容性
  • U2封装与其他顶部冷却(TSC)封装在引脚上兼容
  • 非常适合硬开关应用
  • 更低的损耗可实现更高的效率、切换频率和冷却要求
  • 可实现系统级性价比优化

应用

  • 低电压工业驱动
  • 电源
  • 伺服驱动器
  • 快速充电
  • 储能系统
  • 太阳能(商业应用)

封装

图表 - Wolfspeed 1200V C4MS分立式SiC MOSFET
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物料编号 数据表 描述
C4MS025120J2-TR C4MS025120J2-TR 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS025120K C4MS025120K 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS025120K1 C4MS025120K1 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS025120U2-TR C4MS025120U2-TR 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS036120J2-TR C4MS036120J2-TR 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS036120K C4MS036120K 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS036120K1 C4MS036120K1 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS036120U2-TR C4MS036120U2-TR 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS047120J2-TR C4MS047120J2-TR 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS047120K C4MS047120K 数据表 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
发布日期: 2025-12-02 | 更新日期: 2025-12-19