Wolfspeed SiC C3M MOSFET
Cree SiC C3M MOSFET能够实现更高的开关频率，减小电感器、电容器、滤波器和变压器的器件尺寸。 SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和较低的冷却需求。 MOSFET还可增加功率密度和系统转换频率。
特性
- C3M SiC MOSFET技术
- 高阻断电压，低导通电阻
- 具有低电容的高速开关
- 在驱动源引脚上采用了低阻抗封装
- 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
- 无卤素，符合RoHS标准
应用
- 再生能源
- EV电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关电源
- 照明
- 通信电源
- 感应加热
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| 物料编号 | 数据表 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 | 上升时间 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0021120D |  |
100 A | 28.8 mOhms | 160 nC | 469 W | 27 ns |
| C3M0032120D | |
63 A | 32 mOhms | 114 nC | 283 W | 22 ns |
| C3M0900170J-TR | |
|||||
| C3M0900170D | |
|||||
| C3M0060065K | |
37 A | 60 mOhms | 46 nC | 150 W | 11 ns |
| C3M0900170M | |
|||||
| C3M0032120K | |
63 A | 32 mOhms | 118 nC | 283 W | 18 ns |
发布日期: 2016-01-26
| 更新日期: 2024-05-09