Nexperia 汽车用ASFET
Nexperia 汽车用ASFET是针对特定用例进行了优化的应用专用 MOSFET。随着设计人员不断突破应用性能的界限，了解如何在应用中使用MOSFET变得越来越重要。过去，一个具有给定品质因数 (RDS (on) x Qg) 的标准电源开关基本上可用于任何应用。然而，为了满足特定应用的要求或功能，越来越有必要优化一组MOSFET参数。例如，应用可能需要增强线性模式性能或重复雪崩功能。Nexperia将成熟的MOSFET专业知识与广泛的应用知识相结合，创造出范围不断扩大的特定应用MOSFET。
Nexperia 汽车用ASFET设计用于满足各种汽车和电感负载的需求：
- 符合 AEC-Q101 标准
- 确保重复雪崩性能，测试周期高达10亿次
- 坚固的硅技术与LFPAK的热性能相结合，可确保芯片温度保持在175°C以下
- 使用单个MOSFET降低了BOM和电路复杂性，节省了系统成本和空间
- ASFET为老式平面技术提供了一种现代沟槽替代方案
- 与随心所欲的二极管方法相比，ASFET可提供更高的效率和更快的开关
这些汽车ASFET包括半桥（高侧和低侧）MOSFET，采用节省空间的LFPAK56D和LFPAK33封装格式。半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和直流-直流转换器）的标准构建模块。LFPAK56D半桥占用的PCB面积比双MOSFET小30%，因为去除了PCB轨道，同时在生产过程中可实现简单的自动光学检测（AOI）。LFPAK56D封装使用灵活的引线来提高整体可靠性，MOSFET之间的内部铜夹连接通过提供具有卓越电流处理能力的即插即用解决方案来简化PCB设计。
特性
- 特定应用MOSFET包括重复雪崩、半桥和即将推出的安全气囊ASFET
- 用于重复雪崩的汽车ASFET
- 保证重复雪崩性能
- 测试周期：高达10亿次
- 现代沟槽替代旧平面技术
- 半桥ASFET用于半桥配置
- 与LFPAK56D双路相比，寄生电感可降低60%，空间节省30%
- ASFET用于安全气囊
- 增强型SOA提供LFPAK56或LFPAK33，可替代老一代DPAK和D2PAK
应用
- 汽车动力总成中的三相电机控制
- 电机控制，如燃料泵、油泵和水泵
- DC-DC转换器
- 重复雪崩拓扑
- 发动机和变速箱控制
- 执行器和辅助负载
- 安全气囊拓扑
视频
手册
特色ASFET
Nexperia 耐重复雪崩的ASFET
40VDS至60VDS最大漏极-源极电压、16ID至40ID漏极电流和7.9QGD栅极-漏极电荷。
Nexperia LFPAK56D半桥MOSFET
采用LFPAK56D封装，寄生电感降低60%，散热性能更高。
发布日期: 2022-03-02
| 更新日期: 2024-04-08