Nexperia DFN0606沟槽式MOSFET
Nexperia DFN0606沟槽式MOSFET设计用于利用沟槽式MOSFET技术提供低阈值电压和非常快的开关速度。这些Nexperia MOSFET具有静电放电（ESD）保护功能，采用A 无引线超小型DFN0606-3（SOT8001）表面贴装（SMD）塑料封装。典型应用包括手机、可穿戴和便携式设备、手机配件、耳机、耳机和助听器。
特性
- 低阈值电压
- 超快开关功能
- 沟槽式MOSFET技术
- 2N7002功能，采用DFN0606封装
- 与DFN1006相比，可节省36%的空间
- 高达2 kV的ESD保护
- 占位面积为0.6 mmx 0.6 mm，高度为0.37 mm
规范
- 超低RDS（on）：低至170 mΩ
- 低压驱动（VGS（th）= 0.7 V（典型值）
- 20 V 至 60 V 电压范围
应用
- 手机
- 可穿戴和便携式设备
- 移动电话配件
- 耳机、耳塞和助听器
视频
应用电路图
相关MOSFET
Nexperia 便携式设备用小信号MOSFET (SSMOS)
小型WLCSP和无引线DFN封装，适合用于移动和便携式应用。
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| 物料编号 | 数据表 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Vgs th-栅源极阈值电压 | Qg-栅极电荷 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NX5008NBKHH |  |
50 V | 350 mA | 2.8 Ohms | 900 mV | 470 pC |
| PMH1200UPEH | |
30 V | 520 mA | 1.6 Ohms | 950 mV | 400 pC |
| PMH850UPEH | |
30 V | 600 mA | 1 Ohms | 950 mV | 600 pC |
| NX138BKHH | |
60 V | 380 mA | 2.3 Ohms | 1.5 V | 500 pC |
| NX7002BKHH | |
60 V | 350 mA | 2.8 Ohms | 1.1 V | 1 nC |
| PMH260UNEH | |
20 V | 1.2 A | 310 mOhms | 950 mV | 630 pC |
| PMH550UNEH | |
30 V | 770 mA | 670 mOhms | 450 mV | 400 pC |
| PMH550UPEH | |
20 V | 800 mA | 640 mOhms | 950 mV | 600 pC |
| PMH600UNEH | |
20 V | 800 mA | 620 mOhms | 450 mV | 310 pC |
| PMH950UPEH | |
20 V | 530 mA | 1.4 Ohms | 950 mV | 290 pC |
发布日期: 2020-05-21
| 更新日期: 2024-05-03