Nexperia LFPAK P沟道沟槽式MOSFET
Nexperia LFPAK P沟道沟槽式MOSFET设计符合AEC-Q101标准，适用于高性能汽车应用。这些MOSFET具有较高的热功率耗散能力。P沟道MOSFET采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装。这些Nexperia MOSFET的额定温度为175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。典型应用包括电池反向保护、电源管理、高侧负载开关和电机驱动。
特性
- 较高的热功率耗散能力
- 额定温度为+175 °C，适用于高温的严苛环境
- 沟槽式 MOSFET 技术
- 符合 AEC-Q101
- LFPAK56（Power SO8）SMD塑料封装
应用
- 反向电池保护
- 电源管理
- 高侧负载开关
- 电机驱动器
应用电路图
LFPAK56占位面积概述
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| 物料编号 | 数据表 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK6Y24-40PX |  |
40 V | 39 A | 24 mOhms | 23 nC | 66 W |
| BUK6Y61-60PX | |
60 V | 25 A | 61 mOhms | 20 nC | 66 W |
| PSMP033-60YEX | |
60 V | 30 A | 33 mOhms | 46 nC | 110 W |
| BUK6Y10-30PX | |
30 V | 80 A | 10 mOhms | 42.5 nC | 110 W |
| BUK6Y14-40PX | |
40 V | 64 A | 14 mOhms | 42.7 nC | 110 W |
| BUK6Y19-30PX | |
30 V | 45 A | 19 mOhms | 23 nC | 66 W |
| BUK6Y33-60PX | |
60 V | 30 A | 33 mOhms | 46 nC | 110 W |
| PSMP061-60YEX | |
60 V | 25 A | 61 mOhms | 20 nC | 66 W |
发布日期: 2020-05-21
| 更新日期: 2024-05-03