返回Nexperia

Nexperia NHUB1 PNP/PNP双晶体管

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP双晶体管设计用于简化具有高击穿电压、内置电阻器、更少元件数量、更低拾/放贴片成本的电路设计。这些晶体管的集电极-发射极电压 (VCEO) 为80V，输出电流 (IO) 为100mA，环境温度范围 (Tamb) 为-55°C至150°C。典型应用包括数字应用、为节省成本作为BC856系列替代方案、控制IC输入，以及开关负载。

特性

  • 击穿电压高
  • 内置电阻器
  • 简化电路设计
  • 减少元件数量
  • 降低拾放贴片成本
  • SOT363 SMD封装
  • 符合AEC-Q101标准

规范

  • 集电极-发射极电压 (VCEO) ：80V
  • 输出电流 (IO)：100mA
  • 总功耗 (Ptot)：235mW（每个晶体管）
  • 环境温度范围 (Tamb)：-55°C至+150°C
  • 存储温度范围 (Tstg)：-65°C至150°C

应用

  • 数字应用
  • 在数字应用中为节省成本作为BC856的替代方案
  • 控制IC输入
  • 开关负载

特性曲线

性能图表 - Nexperia NHUB1 PNP/PNP双晶体管

封装外形

机械图纸 - Nexperia NHUB1 PNP/PNP双晶体管

相关产品

Nexperia 配备电阻器的晶体管 (RET)

节省空间和成本的解决方案，可减少元件数量，简化电路设计。

Learn More关于Nexperia 配备电阻器的晶体管 (RET) View Products与Nexperia 配备电阻器的晶体管 (RET)相关
发布日期: 2022-01-19 | 更新日期: 2022-03-11