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Nexperia PSMN N沟道MOSFET

Nexperia PSMN N沟道MOSFET包括标准与逻辑电平N沟道MOSFET，并具有常规与增强两种工作模式，采用LFPAK、LFPAK88、I2PAK、TO-220和DFN3333-8封装，工作温度可达150°C或175°C。这些Nexperia PSMN N沟道MOSFET经过设计和认证，适用于各种工业、通信和家用设备。

LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET具有超低QG、QGD和QOSS，可在低负载和高负载下实现高系统效率，并具有超低RDS(on)和低寄生电感。它们还利用NextPower超结技术优化了4.5V栅极驱动。

I2PAK和TO-220封装的标准和逻辑电平N沟道MOSFET具有低开关损耗和低导通损耗，因此具有高效率，适用于标准或逻辑电平栅极驱动源。

LFPAK88封装的MOSFET是要求高性能和可靠性的应用的理想选择。

特性

  • 低开关和传导损耗带来高效率
  • 适用于标准或逻辑电平栅极驱动源

应用

  • DC-DC转换器
  • 锂离子电池保护
  • 负载开关
  • 电源OR-ing
  • 电子保险丝
  • 服务器电源
  • 同步整流器
  • 电机控制

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发布日期: 2011-12-13 | 更新日期: 2026-01-06