onsemi NTBLS4D0N15MC单N通道MOSFET
安森美 (onsemi) NTBLS4D0N15MC单N沟道MOSFET是一款具有低RDS(on) 的功率MOSFET，可最大限度地降低导通损耗。此MOSFET具有低总栅极电荷 (QG) 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美 (onsemi) NTBLS4D0N15MC MOSFET可降低开关噪声/EMI，具有187A最大连续漏极电流 (ID) 和150V漏极-源极电压 (VDSS)。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 4.4 mΩ（最大值，10 V时）
- 4.9 mΩ（最大值，8 V时）
- VDSS ：150V
- ID ：187A（最大值）
- 低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
- 降低开关噪声/EMI
应用
- 电动工具
- 电池供电真空吸尘器
- 无人机
- 材料处理
- BMS/存储
- 家居自动化
其他资源
发布日期: 2020-09-04
| 更新日期: 2024-06-11