onsemi 单N通道40V Dual-Cool®功率MOSFET

安森美半导体功率单N通道40V Dual-Cool®功率MOSFET具有超低漏源导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗。漏极-源极电压 (VDSS) 为40V,栅极-源极电压 (VGS) 为±20V。应用包括交流-直流和直流-直流电源中的同步整流器、电机开关和负载开关。NTMFSC0D9N04CL N通道MOSFET具有较低的电容和封装电感,采用双面冷却封装。

特性

  • 通过封装的顶部和底部实现散热
  • 顶部和底部采用标准5x6mm引脚分配
  • 40V VDSS和±20V VGS RDS(on),可最大限度降低导通损耗
  • 低电容和封装电感
  • 双面冷却封装
  • MSL1稳健封装设计
  • 无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令

应用

  • 交流-直流和直流-直流电源中的同步整流器
  • 电机开关
  • 负载开关