onsemi NVBG020N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET
安森美半导体NVBG020N120SC1 N通道碳化硅MOSFET采用可提供出色开关性能和更高可靠性的技术。NVBG020N120SC1 MOSFET具有更高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。该器件具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。NVBG020N120SC1 N通道碳化硅MOSFET符合汽车类AEC-Q101标准，非常适合用于汽车应用。
特性
- 典型 RDS(on) = 20m
- 超低栅级电荷（典型 QG(tot) = 220nC）
- 低有效输出电容（典型 Coss = 258pF）
- 100%经雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准
- 符合RoHS指令
应用
- 汽车车载充电器
- 用于电动汽车 (EV)/混合动力电动汽车 (HEV) 的汽车直流/直流转换器
其他资源
应用电路
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与硅器件相比，具有出色的开关性能和高可靠性。
发布日期: 2019-11-07
| 更新日期: 2024-02-02