结果: 26
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V 918库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 967库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1,466库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2,422库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 2,050库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 2,153库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1,185库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 243库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1,966库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 612库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 679库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 247库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 282库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 20MW 1200V 1,394库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V 956库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 542库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 960库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 829库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 205库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 14库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC