1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET与硅器件相比,具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻,可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关和低电容,工作温度范围为-55°C至+175°C。1200V SiC MOSFET符合AEC-Q101车载标准和RoHS指令。这些MOSFET适合用于升压逆变器、充电桩、DC-DC逆变器、DC-DC转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。

结果: 26
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 938库存量
剪切带
¥174.3703
¥131.0235
¥123.9949
卷轴
¥123.9949
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1,338库存量
¥174.9466
¥123.3282
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2,372库存量
¥112.0847
¥62.4551
¥60.0482
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1,924库存量
剪切带
¥100.4118
¥56.4096
¥55.0084
¥52.0252
卷轴
¥52.0252
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1,794库存量
剪切带
¥78.083
¥45.6633
¥42.6801
¥40.3636
卷轴
¥40.3636
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1,036库存量
¥114.4803
¥63.8563
¥63.6077
¥61.7093
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 656库存量
¥105.2934
¥58.2289
¥58.1498
¥55.3361
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182库存量
¥135.3288
¥92.5583
¥87.349
¥84.3658
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266库存量
¥398.8561
¥339.3051
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224库存量
¥234.8253
¥155.0925
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84库存量
剪切带
¥458.0794
¥371.7248
¥332.107
卷轴
¥332.107
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53库存量
剪切带
¥241.5262
¥181.1503
¥167.2513
¥149.9623
卷轴
¥149.9623
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181库存量
¥118.537
¥63.1105
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 20MW 1200V 2,070库存量
剪切带
¥322.2647
¥243.7636
¥243.5941
¥230.7799
卷轴
¥230.7799
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V 628库存量
¥319.6996
¥225.4011
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V 723库存量
¥433.1064
¥362.7978
¥328.2989
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426库存量
剪切带
¥113.0678
¥67.3254
¥63.6868
卷轴
¥63.6868
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 164库存量
¥284.0481
¥226.4746
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1,664库存量
¥85.202
¥60.2177
¥50.1268
¥44.6689
¥41.8552
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 307库存量
450预期 2026/11/9
¥193.0605
¥121.6784
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 413库存量
450预期 2026/11/9
¥83.1341
¥45.5729
¥42.0247
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 172库存量
¥108.1071
¥59.9691
¥57.3249
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 57库存量
1,600在途量
剪切带
¥109.9264
¥73.2014
¥67.574
¥56.9859
卷轴
¥56.9859
最低: 1
倍数: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
155预期 2026/11/9
¥227.8871
¥156.3355
¥147.3181
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 无库存交货期 52 周
¥100.6604
最低: 450
倍数: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC