1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET与硅器件相比，具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关和低电容，工作温度范围为-55°C至+175°C。1200V SiC MOSFET符合AEC-Q101车载标准和RoHS指令。这些MOSFET适合用于升压逆变器、充电桩、DC-DC逆变器、DC-DC转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。

结果: 26
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
数据表
2,549库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
数据表
1,014库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
数据表
1,511库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V
数据表
996库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
数据表
1,182库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
数据表
1,973库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1
数据表
257库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
数据表
2,060库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 16
数据表
2,176库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
数据表
686库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1
数据表
1,326库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
数据表
221库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
数据表
181库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
数据表
689库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
数据表
282库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
数据表
224库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
数据表
234库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 20MW 1200V
数据表
1,471库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V
数据表
603库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
数据表
981库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1
数据表
253库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1
数据表
635库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM
数据表
990库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
数据表
53库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC