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onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道器件，具有经过优化的开关性能。该MOSFET具有低反向恢复电荷 (Qrr) 和软体二极管，可实现出色的低噪声开关。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET具有高效率、较低开关尖峰和电磁干扰 (EMI)。它们提高了开关品质因数 (FOM)。 典型应用包括用于ATX/服务器/电信电源单元 (PSU) 的同步整流、电机驱动器、不间断电源 (UPS) 和微型太阳能逆变器。

特性

  • 屏蔽栅极MOSFET技术
  • 开关性能经过优化
  • RDS (on) ：5mΩ（最大值）（VGS = 10V，ID = 97A时）
  • Qrr 比其他MOSFET低50%
  • 降低开关噪声/EMI
  • 100%经过无钳位电感负载 (UIL) 测试
  • 漏源电压 (VDSS)：150V
  • 漏极电流 (ID)：139A（最大值）

应用

  • 同步整流
    • 先进技术扩展 (ATX)
    • 服务器
    • 电信PSU技术
  • 电机驱动器
  • UPS
  • 微型太阳能逆变器

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物料编号 数据表 描述
NTP011N15MC NTP011N15MC 数据表 MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 74.3 A
NTP5D0N15MC NTP5D0N15MC 数据表 MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
NTP7D3N15MC NTP7D3N15MC 数据表 MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A
发布日期: 2020-09-16 | 更新日期: 2024-11-07