onsemi NCV57000隔离式大功率IGBT栅极驱动器

安森美半导体NCV57000隔离式大功率IGBT栅极驱动器内置电流隔离功能,设计用于为大功率应用实现高系统效率和可靠性。NCV57000具有各种稳健特性,包括互补输入、开漏故障、就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护、DESAT软关断,以及便于进行系统设计的独立的高侧和低侧(OUTH和OUTL)驱动器输出。

特性

  • 在IGBT米勒平坦电压下具有大电流输出 (+4/6A)
  • 低输出阻抗,用于增强型IGBT驱动
  • 传播延迟时间短,具有精确匹配
  • 有源米勒钳位,防止杂散栅极导通
  • DESAT保护,带可编程延迟
  • 针对DESAT的负电压(低至-9V)能力
  • IGBT短路期间的软关断
  • 短路期间的IGBT栅极钳位
  • IGBT栅极有源下拉
  • UVLO阈值小,实现偏置灵活性
  • 宽偏置电压范围,包括负VEE2
  • 输入电源电压:3.3V至5V
  • 设计用于符合AEC−Q100标准
  • 5000V电流隔离(以满足UL1577要求)
  • 1200V工作电压(符合VDE0884-11要求)
  • 高瞬态抗扰度
  • 高电磁抗扰度
  • 无铅、无卤,符合RoHS指令

应用

  • 汽车用电源
  • HEV/EV传动系统
  • OBC
  • BSG
  • 电动汽车充电器
  • PTC加热器

简化框图

框图 - onsemi NCV57000隔离式大功率IGBT栅极驱动器

简化应用示意图

原理图 - onsemi NCV57000隔离式大功率IGBT栅极驱动器
发布日期: 2019-04-30 | 更新日期: 2024-01-30