onsemi 栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET
电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。
尽管IGBT在这些大功率应用中提供优于硅解决方案的出色热性能，但安森美 (onsemi) EliteSiC可实现更高的开关速度和高功率。安森美 (onsemi)提供完整的SiC MOSFET产品组合，击穿电压范围为650V至1700V，RDSON低至12mΩ。但是，每个SiC MOSFET都需要正确的栅极驱动器，以最大限度地提高系统效率并降低总功率损耗。下方表格简单易用，将正确的栅极驱动器与每个SiC MOSFET匹配在一起。
应用
- EV充电
- 能源储存
- 不间断电源系统（UPS）
- 太阳能
框图
视频
特色栅极驱动器
onsemi NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器
隔离式双通道栅极驱动器分别提供 4.5A/9A拉电流和灌电流峰值电流。
onsemi NCD5700和NCD5701 IGBT栅极驱动器
大电流、高性能IGBT栅极驱动器，适用于大功率应用。
onsemi NCV5700大电流IGBT栅极驱动器
在IGBT米勒平坦电压下具有+4/-6A的大电流输出。
onsemi NCV51563隔离式双通道栅极驱动器
支持4.5A拉电流和9A灌电流峰值， 用于快速开关。
onsemi NCD57000和NCD57001大电流IGBT驱动器
内置电流隔离功能的单通道IGBT驱动器，非常适合用于大功率应用。
onsemi NCV57000隔离式大功率IGBT栅极驱动器
设计用于为大功率应用实现高系统效率和可靠性。
onsemi NCD57001FDWR2G隔离式IGBT栅极驱动器
具有内部电流隔离功能的单通道IGBT驱动器，设计用于提高系统效率。
onsemi NCV57001隔离式大功率IGBT栅极驱动器
设计用于为大功率应用实现高系统效率和可靠性。
onsemi NCV57001F IGBT栅极驱动器
具有内部电流隔离功能的单通道IGBT驱动器，设计用于提高系统效率。
onsemi NCD57090和NCV57090 IGBT/MOSFET栅极驱动器
大电流单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器，具有5kVrms内部电流隔离。
onsemi NCx575x0隔离式双通道IGBT栅极驱动器
具有5kVRMS内部电流隔离（输入到每个输出）。
onsemi NCx57091 IGBT/MOSFET栅极驱动器
大电流单通道驱动器，具有5kVRMS内部电流隔离。
onsemi NCD57100 栅极驱动器
大电流单通道IGBT驱动器，具有内部电隔离功能。
onsemi NCP51560隔离式双通道栅极驱动器
提供4.5A峰值拉电流和9A峰值灌电流输出能力
onsemi NCP51563栅极驱动器
设计用于快速开关的隔离式驱动器，可驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。
onsemi NCV51561隔离式双通道栅极驱动器
具有4.5A拉峰值电流和9A灌峰值电流，以及短传播和匹配传播延迟。
特色EliteSiC MOSFET
onsemi 650V碳化硅 (SiC) MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi 900V EliteSiC（碳化硅）MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和高可靠性。
onsemi NxHL080N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET
1200V、80mΩ、高速开关器件，符合AEC-Q101汽车级标准，采用TO247-3L封装。
onsemi NTBG028N170M1 1700V碳化硅 (SiC) MOSFET
优化用于快速开关应用。
onsemi NTBG060N065SC1 44mΩ碳化硅MOSFET
采用 D2PAK-7L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NVBG020N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET
采用可提供出色开关性能和更高可靠性的技术。
onsemi NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET
具有高效率、快速工作频率、高功率密度、低EMI等特性。
onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET
具有1200VDSS 、160mΩ最大RDS(on) 、19.5A最大ID，并且符合AEC-Q101标准。
onsemi NTBL045N065SC1 33mΩ碳化硅MOSFET
采用TOLL NTBL045N065SC1封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NTH4L025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET
采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
为能源和工业驱动应用提供可靠、高效的性能。
onsemi NTH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化硅MOSFET
采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NTHL025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTHL060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTHL080N120SC1A N沟道SiC MOSFET
具有出色的开关性能、高可靠性和低导通电阻。
onsemi NTHL015N065SC1 12mΩ碳化硅MOSFET
采用TO-247-3L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NVH4L015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NVBG030N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
符合AEC-Q101标准的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET，优化用于快速开关应用。
onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。
