onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III功率MOSFET
安森美半导体NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III功率MOSFET是一款高电压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。借助电荷平衡技术，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能够承受极高的dV/dt速率。NTB110N65S3HF SUPERFET III MOSFET非常适合用于需要小尺寸和高效率的电源系统。NTB110N65S3HF还具有经过优化的反向恢复体二极管性能，从而减少了额外需要的元件数量，并提高了系统可靠性。
NTB110N65S3HF SUPERFET III功率MOSFET采用紧凑型D2PAK-3封装。该器件无铅，符合RoHS指令。
特性
- 700V（TJ=150°C时）
- 典型RDS(on)= 98mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg= 62nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.)= 522μF）
- 出色的体二极管性能（低Qrr，坚固的体二极管）
- 优化的电容
- 系统可靠性高，可在低温下运行
- 低开关损耗
- 在LLC和相移全桥电路中具有较高的系统可靠性
- 低峰值Vds和低Vgs振荡
- 100%经过雪崩测试
- 封装类型：D2PAK-3
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 电动汽车充电器
- UPS/太阳能
栅极电荷测试电路
电阻开关测试电路
电感开关测试电路
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发布日期: 2019-02-28
| 更新日期: 2024-01-24