onsemi NTH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。MOSFET具有 低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。
特性
- 典型值RDS(on)=44m（VGS=18V时）
- 典型值RDS(on)=60m（VGS=15V时）
- 超低栅极电荷 (QG(tot)=74nC)
- 低电容 (Coss=133pF)
- 100%经雪崩测试
- TJ=175°C
- 该器件无铅，符合RoHS指令
应用
- 开关模式电源 (SMPS)
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 量存储能
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发布日期: 2022-05-09
| 更新日期: 2024-06-19