onsemi NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美NTHL075N065SC1碳化矽(SiC)MOSFET比硅具有更出色的开关性能和更高的可靠性。安森美NTHL075N065SC1具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,可确保低电容和栅极电荷。系统优势包括高效率、快速操作频率、功率密度更高、EMI和系统尺寸更小。

特性

  • 典型值RDS(on) = 57m(VGS = 18V时)
  • 典型值RDS(on) = 75m(VGS = 15V时)
  • 超低栅极电荷 (QG(tot) =61nC)
  • 低输出电容 (Coss =107pF)
  • 100%经雪崩测试
  • TJ =175°C
  • 该器件不含卤素、符合 RoHS 标准、免7a、无铅2LI(二级互连)

应用

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 能量存储
发布日期: 2023-01-05 | 更新日期: 2023-03-21