onsemi NTMFS0D7N04XM单N沟道功率MOSFET
安森美半导体 NTMFS0D7N04XM单N沟道功率MOSFET是标准的40V栅极电平功率MOSFET，具有领先的导通电阻，适用于电机驱动器应用。较低的导通电阻和栅极电荷可降低导通和驱动损耗。用于体二极管反向恢复的良好软控制可降低应用中的电压尖峰应力，无需额外的缓冲电路。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 占位面积小（5mmx6mm），设计紧凑
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 电机驱动器
- 电池保护
- O型圈
规范
- 漏极-源极电压：40V（最大值）
- 最大栅极-源极电压：±20V
- 最大连续漏极电流范围：38.5A至323A
- 最大功耗：134W
- 脉冲漏极电流：2201A（最大值）
- 最大体二极管拉电流：202A
- 单雪崩能量：987mJ（最大值）
- 总栅极电荷：72.1nC（典型值）
- 阈值栅极电荷：13.6nC（典型值）
- 栅极-源极电荷：20.6nC（典型值）
- 栅极至漏极电荷：13.3nC（典型值）
- 反向恢复电荷：139nC（典型值）
- 工作结温范围：-55 °C至+175 °C
- 典型开关时间
- 接通延迟：25.8ns
- 上升：8.12ns
- 关断延迟：39.1ns
- 下降：6.32ns
- 典型电容
- 4621 pF输入
- 3328 pF输出
- 反向传输：68.2pF
- 热阻
- 结壳热阻：1.11°C/W
- 结点至环境热阻：39.3°C/W
相关产品
onsemi PowerTrench技术
从T6到T10的转变尤其代表了PowerTrench技术的进步。
发布日期: 2024-02-19
| 更新日期: 2024-06-14