NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS0D7N04XMT1G
NTMFS0D7N04XMT1G

制造商：

说明：
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NTMFS0D7N04XMT1G详情

库存量: 188

库存：
188
可立即发货
在途量:
6,000
预期 2026/10/2
生产周期：
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.6055 ¥19.61
¥12.656 ¥126.56
¥8.5993 ¥859.93
¥6.893 ¥3,446.50
¥6.0568 ¥6,056.80
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥5.7065 ¥8,559.75

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
323 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
72.1 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 6.32 ns
正向跨导 - 最小值: 244
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.12 ns
系列: NTMFS0D7N04XM
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 39.1 ns
典型接通延迟时间: 25.8 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。  由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

NTMFS0D7N04XM单N沟道功率MOSFET

安森美半导体 NTMFS0D7N04XM单N沟道功率MOSFET是标准的40V栅极电平功率MOSFET，具有领先的导通电阻，适用于电机驱动器应用。较低的导通电阻和栅极电荷可降低导通和驱动损耗。用于体二极管反向恢复的良好软控制可降低应用中的电压尖峰应力，无需额外的缓冲电路。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。