onsemi NTMFS3D2N10MD N 通道 MOSFET
安森美 (onsemi) NTMFS3D2N10MD N沟道MOSFET设计采用先进的PowerTrench® 工艺和屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻RDS(on)，从而最大限度地降低导通损耗，同时仍然保持卓越的开关性能。NTMFS3D2N10MD MOSFET具有低QG 和电容值，可以最大限度地降低驱动器损耗，此外还具有低QRR 和软恢复体二极管，以及可以提高轻负载效率的低QOSS 。典型应用包括隔离式直流-直流转换器中的一次侧开关、交流-直流适配器、直流-直流和交流-直流中的同步整流、BLDC电机、负载开关和太阳能逆变器。
特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 最大RDS(on)=3.5mΩ（VGS=10V、ID= 50A时）
- 最大RDS(on)=5.8mΩ（VGS=6V、ID= 30.5A时）
- 漏极-源极电压 (VDSS)：100V
- 连续漏极电流（ID 最大值）：142A
- 效率高，降低开关噪声/EMI
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
- 低QRR 和软恢复体二极管
- 低QOSS，可改善轻负载效率
- MSL1 鲁棒封装设计
- 100%经UIL测试
- 符合RoHS指令
应用
- 隔离式直流-直流转换器中的一次开关
- 直流-直流和交流-直流中的同步整流器 (SR)
- 交流-直流适配器 (USB PD) SR
- 电源
- 负载开关
- 电机驱动器
- 热插拔和O型圈开关
- BLDC电机
- 太阳能逆变器
相关产品
onsemi PowerTrench技术
从T6到T10的转变尤其代表了PowerTrench技术的进步。
发布日期: 2022-02-22
| 更新日期: 2024-06-14