onsemi NTMT045N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTMT045N065SC1 碳化硅(SiC) MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。这些器件的优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。
特性
- 典型值RDS (on) =33mΩ（VGS =18V时）
- 典型值RDS (on) =45mΩ（VGS =15V时）
- 超低栅极电荷 (QG (tot) =105nC)
- 低有效输出电容（COSS = 162pF）
- 100%经雪崩测试
- TJ =175°C
- 符合RoHS指令
应用
- 开关模式电源 (SMPS)
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 储能
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发布日期: 2022-11-14
| 更新日期: 2024-06-19