onsemi NTMTSC1D5N08MC功率MOSFET
安森美NTMTSC1D5N08MC功率MOSFET是一款单N沟道Dual COOL® MOSFET，占位面积小 (8mm x 8mm)，适用于紧凑型设计。该MOSFET在80V漏源电压和287A漏电流下运行。NTMTSC1D5N08MC MOSFET具有低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该MOSFET适用于电动工具、电池供电吸尘器、UAV/无人机、物料搬运、BMS/存储器和家庭自动化。
特性
- 占位面积（8mmx8mm）小，适用于紧凑设计
- 低RDS(on)，可最大限度地减少传导损耗
- 漏源电压（VDSS）：80V
- 低QG 和低电容，可使驱动器损耗最小化
- 器件无铅、无卤/无BFR，符合RoHS标准
应用
- 电动工具和电池驱动吸尘器
- UAV/无人机和材料处理
- BMS/存储器和家居自动化
N沟道MOSFET
栅极电荷特性
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发布日期: 2023-05-03
| 更新日期: 2023-07-19