onsemi NTTFSxD1N0xHL N通道PowerTrench® MOSFET
安森美半导体NTTFSxD1N0xHL N沟道PowerTrench® MOSFET采用高性能屏蔽栅极MOSFET技术，以实现极低导通电阻 (RDS (on))。这些安森美半导体单通道MOSFET具有低开关噪声/EMI，100%经过UIL测试的MSL1稳健封装设计。NTTFSxD1N0xHL MOSFET采用无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR)、符合RoHS指令的WDFN8封装。典型应用包括直流－直流降压转换器、负载点、高效负载开关和低侧开关、ORing FET、直流－直流电源和MV同步降压转换器。
特性
- 高性能屏蔽栅极MOSFET技术，实现极低导通电阻 (RDS (on))
- 低导通损耗和开关损耗
- MSL1稳健封装设计
- 100%经UIL测试
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR)，符合RoHS指令
应用
- 直流-直流降压转换器和直流-直流电源
- ORing FET和负载点
- 高效负载开关和低侧开关
- MV同步降压转换器
规范
- NTTFS2D1N04HL
- 最大RDS (on) ：2.1mΩ（VGS 为10V、 ID 为23A时）
- 最大RDS (on) ：3.3mΩ（VGS 为4.5V、 ID 为18A时）
- NTTFS3D7N06HL
- 最大RDS (on) ：3.9mΩ（VGS 为10V、 ID 为233A时）
- 最大RDS (on) ：5.2mΩ（VGS 为4.5V、 ID 为18A时）
- NTTFS5D9N08H
- 最大RDS (on) ：5.9mΩ（VGS 为10V、ID 为23A时）
- 最大RDS (on): 9mΩ（VGS 为6V、ID 为12A时）
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| NTTFS3D7N06HLTWG |  |
MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 |
| NTTFS2D1N04HLTWG | |
MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3 |
| NTTFS5D9N08HTWG | |
MOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3 |
发布日期: 2020-08-06
| 更新日期: 2024-06-05