onsemi NVBLS1D5N10MC N沟道PowerTrench® MOSFET
安森美 NVBLS1D5N10MC N沟道PowerTrench® MOSFET具有卓越的热性能和低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗。NVBLS1D5N10MC符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。
安森美 (onsemi) NVBLS1D5N10MC MOSFET采用TOLL封装，工作结温和储存温度范围为-55°C至+175°C。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- QG 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 降低开关噪声/EMI
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 开关电源
- 反向电池保护
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）
规范
- 连续漏极电流：300A (最大值）
- RDS(ON)（10V时）：1.5mΩ（最大值）
- 漏极-源极电压：100V
- 栅极-源极电压：±20V
- 脉冲漏极电流：900A
- 工作结温和存放温度范围：-55°C至175°C
典型应用
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发布日期: 2023-12-26
| 更新日期: 2024-11-07