onsemi NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块
安森美 (onsemi) NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块是2组模块，具有两个3mΩ 或4mΩ 1200V SiC MOSFET开关，和一个采用Zirconia Doped Alumina (HPS) 直接覆铜 (DBC) 或氮化硅 (Si3N4) DBC的热敏电阻器。 F2封装的SiC MOSFET开关采用M3S技术，栅极驱动范围为15V至18V。应用包括直流-交流、直流-直流和交流-直流转换。
特性
- 3mΩ或4mΩ、1200V M3S SiC MOSFET半桥
- F2封装选项
- Zirconia Doped Alumina (HPS) 直接覆铜 (DBC)
- 氮化硅 (Si3N4) 直接覆铜 (DBC)
- 栅极驱动范围：15V至18V
- 热敏电阻器
- 预涂热界面材料 (TIM)
- 压配引脚
- 无铅、无卤，符合RoHS指令
应用
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 电动汽车 (EV) 充电站
- 工业电源
数据手册
- EliteSiC，3mΩ SiC M3 MOSFET，1200V，2组半桥拓扑
- NXH003P120M3F2PTHG，F2封装，采用HPS DBC基板
- NXH003P120M3F2PTNG，F2封装，采用Si3N4 DBC基板
- EliteSiC，4mΩ SiC M3 MOSFET，1200V，2组半桥拓扑
- NXH004P120M3F2PTHG，F2封装，采用HPS DBC基板
- NXH004P120M3F2PTNG，F2封装，采用Si3N4 DBC基板
示意图
引脚连接
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发布日期: 2023-11-20
| 更新日期: 2024-06-18