onsemi NXH240B120H3Q1x1G硅/碳化硅混合模块
安森美（onsemi） NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC混合功率集成模块 (PIM) 包含一个三通道1200 V IGBT+SiC升压模块和一个NTC热敏电阻。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT、一个30A SiC二极管、一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。 集成式场终止沟槽型IGBT和SiC二极管具有较低的导通损耗和开关损耗，可实现高效率和出色的可靠性。
特性
- 1200 V超级场终止型IGBT
- 低反向恢复和快速开关碳化硅二极管
- 低电感布局
- 压配引脚/焊接引脚
- 热敏电阻器
应用
- 太阳能逆变器
- 环境应力筛选 (ESS)
规范
- IGBT (T11、T21、T31)
- 最大集电极-发射极电压：1200 V
- 最大栅极-发射极电压：±20V
- 最大集电极连续电流：92 A
- 最大脉冲集电极电流：276A
- 最大功耗：266 W
- 保护二极管 (D11、D21、D31)
- 最大重复反向峰值电压：1200 V
- 最大连续正向电流：41 A
- 最大重复峰值正向电流：123 A
- 最大功耗：54 W
- 最大隔离测试电压：3000VRMS
- 最大爬电距离：12.7mm
- 碳化硅升压二极管 (D12、D22、D32)
- 最大重复反向峰值电压：1200V
- 最大连续正向电流：37A
- 最大重复峰值正向电流：111A
- 最大功耗：99W
- 旁路二极管 (D13、D23、D33)
- 最大重复反向峰值电压：1200V
- 最大连续正向电流：54A
- 最大重复峰值正向电流：162A
- 最大功耗：64W
- 工作温度范围：-40°C至+150°V
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发布日期: 2024-01-26
| 更新日期: 2024-06-18