onsemi 硅光电倍增管 (SiPM)

安森美 (onsemi) 硅光电倍增管 (SiPM) 具有高增益、快速定时和出色的PDE,以及与固态技术 (SST) 相关的实际优势。 这些安森美 (onsemi) SiPM具有快速输出端子,采用CMOS工艺制造。SiPM产品线中的所有传感器均具有 ±250mV击穿电压均匀性,低温系数为21mV/°C,偏置电压 <30V。这些SiPM非常适合用于医学成像、危险和威胁、3D测距和成像,以及高能物理。

特性

  • 偏置电压:<30V
  • 低温度系数:21.5mV/°C
  • 给定产品线中的所有传感器均具有±250mV击穿电压均匀性
  • 独特的快速输出端子
  • 采用CMOS工艺制造
  • 采用兼容回流焊的封装

应用

  • 医学成像
  • 危险和威胁
  • 3D测距和成像
  • 生物光子学和科学
  • 高能物理

每个硅系列的特性

信息图 - onsemi 硅光电倍增管 (SiPM)

视频

发布日期: 2020-02-07 | 更新日期: 2024-06-10