onsemi UJ3C碳化硅FET
QorvoUJ3C碳化硅（SiC）FET基于独特的共源共栅配置，优化用于软开关设计。UJ3C SiC FET非常适用于升级现有硅基器件或启动新型基于SiC的设计。这些器件将SiC JFET与定制设计的Si MOSFET集成在一起，以产生MOSFET的常闭操作、高性能体二极管和简单栅极驱动与SiC JFET的效率、速度和高温额定值的理想组合。因此，现有系统预计会提高性能，同时降低导通和开关损耗、增强的热特性以及集成的栅极ESD保护。
在新设计中，UJ3C场效应晶体管提高了开关频率，从而在效率、减小磁性元件和电容器等无源元件的尺寸和成本方面获得显著系统优势。
QorvoUJ3C碳化硅FET采用行业标准D2PAK-3L、TO-220-3L和TO-247-3L封装。这些器件大多数符合AEC-Q101标准，可用于汽车应用。
特性
- 提供650V和1200V选项
- 典型漏极-源极电阻：27mΩ至150mΩ（RDS(on)）
- 最大连续漏极电流：18.4A至65A（ID）
- 出色的体征二极管性能（Vf <2V）
- 任何Si和/或SiC栅极驱动电压
- 出色的反向恢复
- 低栅极电荷
- 低固有电容
- 集成ESD和栅极保护
- 工作和储存温度（TJ 、TSTG）： -55°C至+175°C
- D2PAK-3L、TO-220-3L和TO-247-3L封装选项
- 可提供符合AEC-Q101标准的选项
应用
- EV充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动器
- 感应加热
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onsemi 采用D2-PAK封装的UF3C碳化硅FET
基于独特的'共源共栅'电路配置，具有出色的反向恢复特性。
发布日期: 2021-04-28
| 更新日期: 2025-07-25